Memcapacitors ferroélectriques fonctionnels pour l’électronique cryogénique

id="offer-description" class="ecl-u-type-heading-2 ecl-u-mt-none ecl-u-mb-l">Offer Description. Contexte : Les avancées récentes en informatique quantique ont confirmé le potentiel de différentes plateformes, des circuits supraconducteurs aux qubits de spin basés sur des boîtes quantiques sur Si ou Ge. Ces derniers constituent une approche particulièrement attractive car ils s’appuient directement sur les technologies CMOS, ouvrant la voie à des processeurs quantiques compatibles avec les chaînes de fabrication industrielles existantes. Cependant, la mise à l’échelle industrielle de ces architectures est aujourd’hui limitée par la complexité du contrôle cryogénique : le grand nombre de lignes de câblage, la consommation énergétique et les procédures de réglage manuelles constituent des freins majeurs à l’intégration de milliers de qubits sur une puce. Pour lever ces verrous, il est indispensable d’intégrer des fonctions de contrôle et de réglage directement au froid, au plus près des qubits, tout en respectant les contraintes de compatibilité CMOS et de faible consommation. Dans ce contexte, les memcapacitors ferroélectriques à base de HfZrO₂ (HZO) représentent une solution technologique prometteuse. Non volatils, réglables de manière analogique et compatibles avec les procédés industriels avancés, ils offrent une voie réaliste vers une électronique cryogénique intégrée, compacte et scalable, adaptée aux exigences d’un déploiement industriel du calcul quantique. Leur fonction